製造工程の概略
タイセーのペルチェ素子(ユニサーモ)の高い性能と信頼性をご理解頂く為に、製造工程の概略をご案内致します。
1.素材インゴットの精錬
ペルチェ素子の要となる熱を移動させる素材は 「ビスマス」(原子記号:Bi)と「テルル」(原子記号:Te) と「アンチモン」(原子記号:Sb)の化合物から成ります。
先ずは、各インゴットを精錬し不純物を取り除き、純度を高めます。
- 精錬炉
2.結晶育成
精錬した「ビスマス」と「テルル」と「アンチモン」を配合して、 結晶成長炉でN型とP型それぞれを針金状に結晶化させます。
タイセーの素子は単結晶構造を持ち従来ペルチェ素子の多結晶タイプ、 焼結タイプに較べて応答速度が速く、冷却能力は25%UPを実現しています。
- 針金状の結晶棒
- 結晶成長炉
3.基板実装
組立用ジグにセットしたガラスエポキシ基板に結晶棒を差し込んで、 互いを接着固定します。
その後、ワイヤーカットで1個単位に切り分けます。
- エポキシ基板
- 遠心分離器
- 脱泡機
- ワイヤーカット前
4.電極板の半田付け
切り分けた基板に銅電極板を半田付けし、 熱伝導製材料を介してアルミナと接続して、 サイド部分はシリコン系防湿材を充填して完成です。
- 完成
5.検査
全数の耐電圧試験、抵抗値測定(±10%以内)、特性検査を行います。
製品には検査シート(「抵抗値」と「厚さ」と「外形」と「モールド外観」の合否判定)が添付されます。
*但し、耐電圧試験はポイミド外装タイプのみです。
- 特性検査
- 抵抗値測定
- 耐電圧試験